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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
65
左右 -110% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.2
1,574.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
31
读取速度,GB/s
3,858.9
18.4
写入速度,GB/s
1,574.4
14.2
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
607
3500
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
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Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
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