RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Kingston 9905598-025.A00G 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
总分
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
65
左右 -160% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.8
1,574.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
25
读取速度,GB/s
3,858.9
13.4
写入速度,GB/s
1,574.4
6.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
607
2045
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
报告一个错误
×
Bug description
Source link