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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
总分
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
65
70
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
1,643.2
1,574.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
6400
5300
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
65
70
读取速度,GB/s
3,858.9
3,279.9
写入速度,GB/s
1,574.4
1,643.2
内存带宽,mbps
5300
6400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
607
454
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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