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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
74
左右 -124% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
33
读取速度,GB/s
4,178.4
15.6
写入速度,GB/s
2,201.1
14.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3136
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB RAM的比较
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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
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