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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
74
左右 -196% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
5.7
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
25
读取速度,GB/s
4,178.4
12.3
写入速度,GB/s
2,201.1
5.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
1966
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
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INTENSO 5641162 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
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