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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
74
左右 -124% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
33
读取速度,GB/s
4,178.4
16.6
写入速度,GB/s
2,201.1
13.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3122
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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