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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
74
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
28
读取速度,GB/s
4,178.4
18.6
写入速度,GB/s
2,201.1
14.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3566
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
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