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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
74
左右 -185% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
26
读取速度,GB/s
4,178.4
14.4
写入速度,GB/s
2,201.1
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3078
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
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