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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
74
左右 -124% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
33
读取速度,GB/s
4,178.4
16.1
写入速度,GB/s
2,201.1
14.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3599
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
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