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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
61
74
左右 -21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
61
读取速度,GB/s
4,178.4
17.9
写入速度,GB/s
2,201.1
8.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2136
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
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