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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
74
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
28
读取速度,GB/s
4,178.4
18.2
写入速度,GB/s
2,201.1
15.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3503
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
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