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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
74
左右 -155% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
29
读取速度,GB/s
4,178.4
14.2
写入速度,GB/s
2,201.1
12.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2873
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9965525-153.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
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