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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
74
左右 -270% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
20
读取速度,GB/s
4,178.4
20.2
写入速度,GB/s
2,201.1
15.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3665
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
SK Hynix 8GB36-H9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
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