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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
74
左右 -252% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
21
读取速度,GB/s
4,178.4
18.9
写入速度,GB/s
2,201.1
14.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3490
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
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