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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
74
左右 -131% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
32
读取速度,GB/s
4,178.4
15.2
写入速度,GB/s
2,201.1
10.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2918
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
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