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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
74
左右 -118% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
34
读取速度,GB/s
4,178.4
14.8
写入速度,GB/s
2,201.1
9.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2583
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
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Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
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Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
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