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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
74
左右 -155% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
29
读取速度,GB/s
4,178.4
17.7
写入速度,GB/s
2,201.1
13.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3304
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
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