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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
74
左右 -95% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
38
读取速度,GB/s
4,178.4
15.5
写入速度,GB/s
2,201.1
13.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2792
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
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