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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
74
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
28
读取速度,GB/s
4,178.4
16.4
写入速度,GB/s
2,201.1
11.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3036
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
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