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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
74
左右 -118% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
34
读取速度,GB/s
4,178.4
15.3
写入速度,GB/s
2,201.1
11.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2659
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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