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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
74
左右 -236% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
22
读取速度,GB/s
4,178.4
19.2
写入速度,GB/s
2,201.1
15.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3622
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
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