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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
74
左右 -174% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
27
读取速度,GB/s
4,178.4
13.5
写入速度,GB/s
2,201.1
10.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2689
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
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