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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
74
左右 -124% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
33
读取速度,GB/s
4,178.4
15.9
写入速度,GB/s
2,201.1
12.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2994
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
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