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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
74
左右 -185% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
26
读取速度,GB/s
4,178.4
14.9
写入速度,GB/s
2,201.1
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2585
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
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