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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
74
左右 -185% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
26
读取速度,GB/s
4,178.4
13.4
写入速度,GB/s
2,201.1
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2673
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
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