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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 9905630-039.A00G 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
74
左右 -54% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
48
读取速度,GB/s
4,178.4
11.9
写入速度,GB/s
2,201.1
10.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2261
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
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