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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 9905701-141.A00G 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
74
左右 -252% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
21
读取速度,GB/s
4,178.4
19.6
写入速度,GB/s
2,201.1
16.5
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3723
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
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