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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 9905743-045.A00G 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
74
左右 -147% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
30
读取速度,GB/s
4,178.4
15.4
写入速度,GB/s
2,201.1
11.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3147
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
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