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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 9965690-002.A00G 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
74
左右 -139% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.7
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.8
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
31
读取速度,GB/s
4,178.4
9.7
写入速度,GB/s
2,201.1
5.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 23 29 37 38
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
1859
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
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