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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
74
左右 -72% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
43
读取速度,GB/s
4,178.4
15.5
写入速度,GB/s
2,201.1
11.9
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2864
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
INTENSO M418039 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
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