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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
74
左右 -124% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
33
读取速度,GB/s
4,178.4
16.9
写入速度,GB/s
2,201.1
10.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3035
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
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