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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
74
左右 -106% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
36
读取速度,GB/s
4,178.4
13.6
写入速度,GB/s
2,201.1
9.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2227
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
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