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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
74
左右 -147% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
30
读取速度,GB/s
4,178.4
10.9
写入速度,GB/s
2,201.1
10.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2587
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-033.A00G 16GB
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Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
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