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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
74
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.3
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
37
读取速度,GB/s
4,178.4
12.0
写入速度,GB/s
2,201.1
6.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
1878
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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