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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 -143% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.2
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
30
读取速度,GB/s
3,510.5
19.0
写入速度,GB/s
1,423.3
14.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3435
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
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Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
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