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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
73
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
37
读取速度,GB/s
3,510.5
14.1
写入速度,GB/s
1,423.3
11.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2946
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Kllisre 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
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