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PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
55
左右 51% 更低的延时
需要考虑的原因
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
55
读取速度,GB/s
13.8
19.5
写入速度,GB/s
8.4
9.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2302
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Kllisre 8GB
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Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
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