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PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
55
Por volta de 51% menor latência
Razões a considerar
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.5
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
55
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
9.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2302
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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