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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
73
左右 -217% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
23
读取速度,GB/s
3,510.5
16.9
写入速度,GB/s
1,423.3
13.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3236
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
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SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Mushkin 996902 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
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