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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
73
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
37
读取速度,GB/s
3,510.5
15.1
写入速度,GB/s
1,423.3
11.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2804
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
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