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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
65
73
左右 -12% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
65
读取速度,GB/s
3,510.5
16.1
写入速度,GB/s
1,423.3
8.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
1836
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
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