RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
73
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
65
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
1836
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link