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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
73
左右 -232% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
22
读取速度,GB/s
3,510.5
16.5
写入速度,GB/s
1,423.3
9.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2682
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Jinyu 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
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