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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 -143% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.3
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
30
读取速度,GB/s
3,510.5
17.5
写入速度,GB/s
1,423.3
16.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3837
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
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