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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston 9965669-009.A00G 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
73
左右 -121% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
33
读取速度,GB/s
3,510.5
10.3
写入速度,GB/s
1,423.3
8.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2175
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
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Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
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