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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
21.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 -143% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.3
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
30
读取速度,GB/s
3,510.5
21.9
写入速度,GB/s
1,423.3
16.3
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3650
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
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