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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
57
73
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.3
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
57
读取速度,GB/s
3,510.5
9.3
写入速度,GB/s
1,423.3
7.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2233
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston 9905403-559.A00LF 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
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