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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
73
左右 -170% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
27
读取速度,GB/s
3,510.5
14.9
写入速度,GB/s
1,423.3
8.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2373
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
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