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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
69
左右 -188% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
24
读取速度,GB/s
3,325.1
18.9
写入速度,GB/s
1,441.2
15.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3870
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
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