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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
69
左右 -109% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
33
读取速度,GB/s
3,325.1
14.5
写入速度,GB/s
1,441.2
9.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2543
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
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